时间：2025/7/10 1:11:15
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HH21N360G101CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景中。其设计注重低导通电阻和高效率，能够在高频条件下保持较低的损耗。
HH21N360G101CT采用先进的半导体制造工艺，具有出色的电气特性和可靠性，能够满足多种工业及消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：360V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：28nC
开关时间：开通延迟时间：48ns，关断传播时间：27ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
HH21N360G101CT具备以下显著特点：
1. 高耐压能力：额定漏源电压为360V，适用于高压应用环境。
2. 大电流承载能力：可支持高达10A的连续漏极电流，确保在高负载条件下的稳定性。
3. 低导通电阻：0.15Ω的典型导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。
4. 快速开关性能：短开关时间和小栅极电荷使得器件能够在高频条件下高效运行。
5. 宽温度范围：支持从-55℃到+150℃的工作结温范围，适应各种极端环境。
HH21N360G101CT适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)：提供高效的开关性能以满足电源模块需求。
2. DC-DC转换器：用于电压调节和能量转换，确保稳定输出。
3. 电机驱动：支持大电流和快速开关，适合各类电机控制。
4. 负载切换：实现负载的动态管理与保护功能。
5. 工业控制：为工业自动化设备提供可靠的功率处理能力。
IRFZ44N, STP10NK50Z
