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HH21N360G101CT 发布时间 时间:2025/7/10 1:11:15 查看 阅读:4

HH21N360G101CT是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景中。其设计注重低导通电阻和高效率,能够在高频条件下保持较低的损耗。
  HH21N360G101CT采用先进的半导体制造工艺,具有出色的电气特性和可靠性,能够满足多种工业及消费类电子设备的需求。

参数

最大漏源电压:360V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:0.15Ω
  栅极电荷:28nC
  开关时间:开通延迟时间:48ns,关断传播时间:27ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

HH21N360G101CT具备以下显著特点:
  1. 高耐压能力:额定漏源电压为360V,适用于高压应用环境。
  2. 大电流承载能力:可支持高达10A的连续漏极电流,确保在高负载条件下的稳定性。
  3. 低导通电阻:0.15Ω的典型导通电阻有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  4. 快速开关性能:短开关时间和小栅极电荷使得器件能够在高频条件下高效运行。
  5. 宽温度范围:支持从-55℃到+150℃的工作结温范围,适应各种极端环境。

应用

HH21N360G101CT适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):提供高效的开关性能以满足电源模块需求。
  2. DC-DC转换器:用于电压调节和能量转换,确保稳定输出。
  3. 电机驱动:支持大电流和快速开关,适合各类电机控制。
  4. 负载切换:实现负载的动态管理与保护功能。
  5. 工业控制:为工业自动化设备提供可靠的功率处理能力。

替代型号

IRFZ44N, STP10NK50Z

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HH21N360G101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.23305卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容36 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-