HH21N330G101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的制造工艺以提供卓越的电气性能。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合应用于功率转换、电机驱动、负载开关等场景。其封装形式通常为 TO-220 或类似的标准封装,确保良好的散热性能。
该 MOSFET 的设计注重效率与可靠性,在高频开关应用中表现出色,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗。
型号:HH21N330G101CT
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DSS):330V
连续漏极电流(I_D):10A
脉冲漏极电流(I_P):35A
栅源电压范围(V_GS):-10V 至 +20V
导通电阻(R_DS(on)):0.3Ω(在 V_GS=10V 时)
总栅极电荷(Q_g):45nC
输入电容(Ciss):1500pF
输出电容(Coss):380pF
反向恢复时间(t_rr):75ns
工作温度范围(T_J):-55°C 至 +150°C
封装:TO-220
HH21N330G101CT 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:最大漏源电压可达 330V,适用于高压环境下的多种应用场景。
2. 低导通电阻:在典型的工作条件下,导通电阻仅为 0.3Ω,能够有效降低导通损耗。
3. 快速开关能力:得益于较低的栅极电荷和输出电容,该 MOSFET 提供了快速的开关速度,减少了开关损耗。
4. 稳定性强:具备出色的热稳定性和电气稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 高电流处理能力:连续漏极电流可达 10A,满足高功率应用需求。
6. 良好的封装设计:采用标准 TO-220 封装,便于安装和散热管理。
HH21N330G101CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动:用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 负载开关:实现高效负载切换功能,保护下游电路免受过流或短路的影响。
4. 逆变器:在光伏逆变器或其他电力电子逆变器中作为关键功率器件。
5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电保护以及均衡控制。
6. 工业自动化设备:如 PLC 输出模块、继电器替代方案等。
IRF540N, STP10NM60K, FQP17N30