时间：2025/7/9 3:09:40
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HH21N270J500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合在高频和高效率的应用场景中使用。
HH21N270J500CT通过优化的芯片设计和封装工艺，能够提供出色的热性能和电气性能，从而满足现代电子设备对高效能和小尺寸的需求。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=80ns, toff=35ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
HH21N270J500CT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：高达1200V的漏源电压使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为45mΩ，减少了导通损耗并提高了整体效率。
3. 快速开关速度：极低的开关时间和栅极电荷确保了其在高频应用中的卓越表现。
4. 热稳定性强：支持高达175℃的工作结温，适用于高温环境下的长期使用。
5. 强大的电流承载能力：连续漏极电流可达50A，满足大功率应用需求。
6. 封装坚固可靠：TO-247封装提供了良好的散热性能和机械强度。
HH21N270J500CT广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电机驱动：适用于工业自动化设备中的电机控制电路。
3. 负载开关：在服务器、通信设备和其他电力管理系统中用作高效的负载切换元件。
4. 太阳能逆变器：为光伏系统中的功率转换提供可靠的解决方案。
5. 电动汽车和混合动力汽车：用作电池管理系统和电机控制器中的关键组件。
IRGB20B120D2,
STGW50H12MD,
FDP16N120,
CSD19531KCS
