时间：2025/7/3 9:09:18
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HH21N270G500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域，能够提供高效的功率转换和控制能力。
该型号为N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特性，适用于中高功率应用场景。其出色的热性能和电气性能使其成为众多工业和消费类电子设备的理想选择。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：30nC
输入电容：1600pF
开关时间：ton=50ns, toff=40ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
HH21N270G500CT具备以下显著特性：
1. 极高的耐压能力，可承受高达1200V的漏源电压，适用于高压环境。
2. 超低的导通电阻（典型值为80mΩ），减少了功率损耗，提高了效率。
3. 快速的开关特性，支持高频应用，减少能量损失。
4. 强大的电流承载能力，连续漏极电流可达50A，满足高功率需求。
5. 高温稳定性，能在极端温度条件下正常运行（-55℃至+175℃）。
6. 优异的热性能和鲁棒性设计，适合恶劣的工作环境。
7. TO-247封装，便于安装和散热管理。
HH21N270G500CT广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电动工具及家用电器的电机驱动电路。
3. 工业自动化系统中的逆变器和变频器。
4. 太阳能逆变器和风能发电系统的功率转换模块。
5. 电动汽车及混合动力汽车的动力系统控制。
6. 各种需要高效功率控制的场景，例如不间断电源（UPS）和电池充电器。
HH21N270G400CT, CSD19536KTT, IRFP260N
