时间：2025/7/1 4:05:24
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HH21N1R2B101CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效提升系统效率并降低能耗。
该芯片具备出色的耐热性能和电气稳定性，能够在广泛的温度范围内保持稳定的性能表现。其紧凑的封装形式使其非常适合对空间要求较高的应用场合。
型号：HH21N1R2B101CT
类型：N沟道 MOSFET
额定电压：60V
额定电流：18A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：35nC
最大功耗：75W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
HH21N1R2B101CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，适用于开关电源及 DC-DC 转换器。
3. 强大的散热性能，确保在高温环境下仍能稳定运行。
4. 高可靠性设计，提供卓越的抗浪涌能力和电气稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 小型化封装，节省 PCB 空间，满足便携式设备的设计要求。
HH21N1R2B101CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统。
5. 汽车电子中的电源管理模块。
6. 高效功率转换电路中的同步整流应用。
IRFZ44N, FDP5580, AO3400
