时间：2025/7/10 12:39:36
阅读：44
HH21N180G101CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率电力电子系统。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，从而能够在高频工作条件下提供更高的能效和更小的热量损耗。
HH21N180G101CT 的额定电压为 180V，适合中低压应用场景，并且其封装形式能够支持较高的电流负载能力，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（典型值）：10mΩ
栅极电荷：17nC
输入电容：1090pF
最大功耗：35W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
HH21N180G101CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小巧的封装设计，有助于简化 PCB 布局并节省空间。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内置防静电保护功能，提高可靠性。
HH21N180G101CT 广泛适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
3. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压及正负转换。
4. LED 照明驱动，特别是大功率 LED 应用。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP55NF06
