时间：2025/6/17 18:35:40
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HH21N0R5B101CT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高效率开关电源、电机驱动以及各种工业应用中的功率转换场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的整体效率并降低功耗。
这款MOSFET属于N沟道类型，适用于广泛的电压和电流范围，其封装形式紧凑，适合需要高密度布局的设计需求。
型号：HH21N0R5B101CT
类型：N沟道MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：90A
Qg（栅极电荷）：37nC
EAS（雪崩能量）：1.5J
f（工作频率范围）：最高500kHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
HH21N0R5B101CT的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，可有效减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷Qg，有助于降低开关损耗。
3. 高额定电流ID设计，能够承受较大的负载电流，适应高功率应用场景。
4. 强大的雪崩能力EAS，确保在异常条件下仍能安全运行。
5. 宽泛的工作温度范围，适合恶劣环境下的应用。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
7. 封装坚固耐用，便于散热管理及安装使用。
HH21N0R5B101CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 工业电机驱动与控制。
3. 太阳能逆变器及其他可再生能源设备。
4. 电动车及混合动力车的电池管理系统(BMS)。
5. 各类高效能功率转换电路。
6. 通信电源和不间断电源(UPS)系统。
7. 照明驱动器，如LED照明电源。
IRF2807ZPBF, FDP077N06L, AOTF28L
