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HH18N821J101CT 发布时间 时间:2025/7/4 19:11:24 查看 阅读:8

HH18N821J101CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  其封装形式为 TO-252,适合表面贴装技术(SMT),具有良好的散热性能和机械稳定性。此外,该芯片符合 RoHS 标准,适用于环保设计要求。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:4.7A
  导通电阻:30mΩ
  栅极电荷:9nC
  开关时间:典型值 15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

HH18N821J101CT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可减少功率损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
  3. 高雪崩能量能力,增强在异常条件下的可靠性。
  4. 小型化封装,便于高密度 PCB 设计。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车级应用中的耐用性。
  6. 宽温工作范围,适应各种恶劣环境。

应用

该芯片适用于多种电子电路,具体应用领域如下:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电机控制与驱动电路。
  4. 电池保护电路中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的信号隔离与切换。
  6. 汽车电子系统,如电动窗、座椅调节等执行机构的驱动。

替代型号

IRF740,
  STP55NF06,
  FDP5500,
  AO3400

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HH18N821J101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.13984卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-