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HH18N6R8D500CT 发布时间 时间:2025/7/1 4:04:25 查看 阅读:5

HH18N6R8D500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率应用设计。该型号属于增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),具有低导通电阻和快速开关特性,适用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电设备以及其他需要高性能功率管理的应用场景。
  这款芯片采用先进的封装工艺以优化热性能和电气性能,能够显著降低系统损耗并提高功率密度。

参数

最大漏源电压:650V
  导通电阻:45mΩ
  连续漏极电流:20A
  栅极驱动电压:4.5V 至 6V
  开关频率:高达 5MHz
  结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247

特性

HH18N6R8D500CT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了传导损耗。
  2. 快速的开关速度,支持高达 5MHz 的工作频率,有助于减小磁性元件体积,提升功率密度。
  3. 高击穿电压能力,确保在高压环境下的稳定运行。
  4. 出色的热性能,有效降低芯片温度,延长使用寿命。
  5. 内置保护机制,如过流保护和短路保护,增强了系统的可靠性。
  6. 小巧的封装尺寸,便于集成到紧凑型设计中。

应用

HH18N6R8D500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器和充电器。
  2. DC-DC 转换器,包括降压和升压电路。
  3. 太阳能微型逆变器及储能系统。
  4. 无线充电模块,提供高效的能量传输。
  5. 汽车电子中的 DC-DC 变换器以及 LED 驱动电路。
  6. 工业自动化设备中的高频逆变电源和电机驱动控制。

替代型号

GXT18N65C3, IRF6650PbF, AOT18N65C4

HH18N6R8D500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.04987卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-