HH18N6R8D500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率应用设计。该型号属于增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),具有低导通电阻和快速开关特性,适用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电设备以及其他需要高性能功率管理的应用场景。
这款芯片采用先进的封装工艺以优化热性能和电气性能,能够显著降低系统损耗并提高功率密度。
最大漏源电压:650V
导通电阻:45mΩ
连续漏极电流:20A
栅极驱动电压:4.5V 至 6V
开关频率:高达 5MHz
结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
HH18N6R8D500CT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了传导损耗。
2. 快速的开关速度,支持高达 5MHz 的工作频率,有助于减小磁性元件体积,提升功率密度。
3. 高击穿电压能力,确保在高压环境下的稳定运行。
4. 出色的热性能,有效降低芯片温度,延长使用寿命。
5. 内置保护机制,如过流保护和短路保护,增强了系统的可靠性。
6. 小巧的封装尺寸,便于集成到紧凑型设计中。
HH18N6R8D500CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器,包括降压和升压电路。
3. 太阳能微型逆变器及储能系统。
4. 无线充电模块,提供高效的能量传输。
5. 汽车电子中的 DC-DC 变换器以及 LED 驱动电路。
6. 工业自动化设备中的高频逆变电源和电机驱动控制。
GXT18N65C3, IRF6650PbF, AOT18N65C4