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HH18N680G101CT 发布时间 时间:2025/7/18 12:21:09 查看 阅读:10

HH18N680G101CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率控制的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率并降低能耗。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,其设计旨在满足工业级和消费级电子设备对可靠性和性能的需求。它具有良好的热特性和电气特性,在多种复杂工况下都能保持稳定的工作状态。

参数

最大漏源电压:680V
  连续漏极电流:10A
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻:0.9Ω(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗:150W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

HH18N680G101CT具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,适用于高压环境下的功率转换应用。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度,能够适应高频操作需求。
  4. 强大的散热能力,即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
  5. 内置反向恢复二极管,进一步优化了开关性能并减少了电磁干扰。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保且适合长期使用。

应用

HH18N680G101CT广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
  2. 工业电机驱动和伺服控制系统。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
  4. 电动工具和家用电器中的功率管理模块。
  5. 各种类型的大功率负载切换电路。
  6. 高效照明设备如LED驱动器中的关键元件。

替代型号

IRFP460,
  STP10NK60Z,
  FQA14P60E

HH18N680G101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.09419卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容68 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-