时间：2025/7/18 12:21:09
阅读：10
HH18N680G101CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率控制的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率并降低能耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，其设计旨在满足工业级和消费级电子设备对可靠性和性能的需求。它具有良好的热特性和电气特性，在多种复杂工况下都能保持稳定的工作状态。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：10A
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻：0.9Ω（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：150W
结温范围：-55℃至+175℃
HH18N680G101CT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适用于高压环境下的功率转换应用。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够适应高频操作需求。
4. 强大的散热能力，即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
5. 内置反向恢复二极管，进一步优化了开关性能并减少了电磁干扰。
6. 符合RoHS标准，绿色环保且适合长期使用。
HH18N680G101CT广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. 工业电机驱动和伺服控制系统。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
4. 电动工具和家用电器中的功率管理模块。
5. 各种类型的大功率负载切换电路。
6. 高效照明设备如LED驱动器中的关键元件。
IRFP460,
STP10NK60Z,
FQA14P60E
