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HH18N561F101CT 发布时间 时间:2025/7/3 9:08:18 查看 阅读:9

HH18N561F101CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高频率、高效率的电源转换和电机驱动等应用。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,能够有效降低功率损耗并提升系统性能。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适合用于同步整流、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效功率管理的场景。其封装形式为 TO-220,便于散热和安装。

参数

最大漏源电压:600V
  最大连续漏极电流:10A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:0.5Ω
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-220

特性

HH18N561F101CT 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:可承受高达 600V 的漏源电压,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻:仅为 0.5Ω,在高电流条件下减少功率损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关性能:具备短开关时间和低栅极电荷,支持高频操作,非常适合现代高效电源设计。
  4. 稳定性强:能够在宽温范围内正常工作,适应各种恶劣环境条件。
  5. 封装优化:TO-220 封装提供良好的散热性能,易于集成到各种电路板设计中。
  6. 可靠性高:经过严格的测试和筛选,保证长期使用中的高可靠性。

应用

HH18N561F101CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):
   - DC-DC 转换器
   - AC-DC 转换器
  2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机控制
   - 步进电机驱动
  3. 工业设备:
   - 逆变器
   - 不间断电源 (UPS)
  4. 汽车电子:
   - 车载充电器
   - 电池管理系统 (BMS)
  5. 其他需要高效功率管理的应用场景。

替代型号

IRF540N, STP10NK60Z, FQP17N60C

HH18N561F101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.37581卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-