HH18N561F101CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高频率、高效率的电源转换和电机驱动等应用。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,能够有效降低功率损耗并提升系统性能。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适合用于同步整流、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效功率管理的场景。其封装形式为 TO-220,便于散热和安装。
最大漏源电压:600V
最大连续漏极电流:10A
最大栅源电压:±20V
导通电阻:0.5Ω
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
HH18N561F101CT 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:可承受高达 600V 的漏源电压,确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻:仅为 0.5Ω,在高电流条件下减少功率损耗,提高整体效率。
3. 快速开关性能:具备短开关时间和低栅极电荷,支持高频操作,非常适合现代高效电源设计。
4. 稳定性强:能够在宽温范围内正常工作,适应各种恶劣环境条件。
5. 封装优化:TO-220 封装提供良好的散热性能,易于集成到各种电路板设计中。
6. 可靠性高:经过严格的测试和筛选,保证长期使用中的高可靠性。
HH18N561F101CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- DC-DC 转换器
- AC-DC 转换器
2. 电机驱动:
- 无刷直流电机控制
- 步进电机驱动
3. 工业设备:
- 逆变器
- 不间断电源 (UPS)
4. 汽车电子:
- 车载充电器
- 电池管理系统 (BMS)
5. 其他需要高效功率管理的应用场景。
IRF540N, STP10NK60Z, FQP17N60C