HH18N560J500CT 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,广泛应用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计,具备低导通压降、高开关速度和优异的热性能等优点。
其封装形式为 TO-247 或类似大功率封装,能够承受较高的电流和电压,适合用于需要高可靠性和高效能的应用场景。
集电极-发射极饱和电压:1.8V
最大集电极电流:560A
额定电压:1200V
开关频率范围:最高 20kHz
功耗:典型值 300W
结温范围:-55°C 至 +175°C
栅极阈值电压:4V 至 8V
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
HH18N560J500CT 的主要特点是采用最新的沟槽场截止技术,这使得它在保持低导通损耗的同时,还能显著降低开关损耗。这种优化的设计让器件在高频工作时表现出更高的效率。
此外,该芯片内置了快速恢复二极管,进一步提高了整体性能并减少了开关过程中的能量损失。
它的高电流承载能力和耐高压特性使其成为大功率应用的理想选择,例如风力发电变流器、电动汽车牵引逆变器以及工业焊接设备等。
HH18N560J500CT 主要应用于以下领域:
1. 工业变频器和伺服驱动系统
2. 大功率不间断电源 (UPS)
3. 风能和太阳能逆变器
4. 电动汽车电机控制器
5. 焊接机和其他高功率电子设备
这款芯片特别适合需要在恶劣环境下长期稳定运行的场合。
FF500R12ME4
SKM500GB12T4
CM500DU-24H