时间：2025/7/10 1:07:53
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HH18N560J101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。其设计主要针对高效率功率转换应用，例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等领域。HH18N560J101CT 的封装形式为 TO-220，能够有效提升散热性能。
最大漏源电压：550V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.13Ω
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃~175℃
HH18N560J101CT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频工作环境。
4. 内置反向恢复二极管，降低开关噪声。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 强大的散热性能，适合高功率密度应用。
7. 工作温度范围宽广，适用于各种恶劣环境。
HH18N560J101CT 广泛应用于多个领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. DC-DC 转换器及逆变器。
3. 电机驱动与控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车和混合动力汽车的辅助系统。
6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源解决方案。
IRF540N, STP18NF55, FDP18N55C
