时间：2025/12/24 12:37:34
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HH18N560G101CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于高频、高效功率转换应用。这款器件采用增强型 GaN 技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少热量损耗。
该型号属于高性能功率器件系列，适用于工业及消费类电子领域中的高频功率转换场景。与传统的硅基 MOSFET 相比，HH18N560G101CT 提供了更优的开关性能和更高的能量密度。
额定电压：650V
额定电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：56mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1300pF
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 高效功率转换：
HH18N560G101CT 利用先进的 GaN 技术实现了更低的导通电阻和开关损耗，使得其在高频开关应用中表现优异。
2. 快速开关：
该器件具有非常低的栅极电荷和极短的反向恢复时间，使其能够在高频条件下保持高效运行，同时减少了电磁干扰（EMI）。
3. 小型封装设计：
HH18N560G101CT 采用紧凑型封装，适合空间受限的应用场景，同时有助于降低寄生电感效应。
4. 稳定性与可靠性：
具备出色的热稳定性和耐受性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
5. 宽广的工作温度范围：
支持从 -55°C 到 +150°C 的宽温操作，确保其在极端环境下的可靠使用。
1. 开关电源（SMPS）：
包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器，特别适合需要高频工作的场合。
2. 电机驱动：
用于高效控制永磁同步电机和其他类型电机的驱动电路。
3. 充电器：
如快充适配器、无线充电器等对效率要求较高的充电设备。
4. 太阳能逆变器：
用于光伏系统的微型逆变器或组串式逆变器，提升能源转换效率。
5. 工业电源：
为各种工业级设备提供高效、可靠的功率解决方案。
1. EPC2020
2. Infineon CoolGaN 600V
3. Transphorm TP65H090G4LSG
4. Navitas NV6115
这些替代型号均基于 GaN 技术，并在性能上与 HH18N560G101CT 类似，具体选择需根据实际应用需求及成本考量。
