时间：2025/7/1 21:22:08
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HH18N4R7C101LT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力。
该型号主要针对电源管理领域设计，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和其他需要高效能和稳定性的电路中。
最大漏源电压：47V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：25nC
开关频率：1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
HH18N4R7C101LT 的主要特点是其低导通电阻 (Rds(on)) 和高效的开关性能，这使得它在高频应用中能够显著降低功率损耗。
此外，该器件具备良好的热稳定性，在高负载条件下依然可以保持稳定的性能输出。
其封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK，提供优秀的散热性能。
该器件还具备短路保护和过温保护功能，提高了系统的可靠性。
这款 MOSFET 常用于多种工业和消费类电子设备中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电动工具中的电机驱动
- 新能源汽车中的电池管理系统
- 太阳能逆变器
- 高效负载开关
