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HH18N4R7C101LT 发布时间 时间:2025/7/1 21:22:08 查看 阅读:24

HH18N4R7C101LT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力。
  该型号主要针对电源管理领域设计,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和其他需要高效能和稳定性的电路中。

参数

最大漏源电压:47V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关频率:1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

HH18N4R7C101LT 的主要特点是其低导通电阻 (Rds(on)) 和高效的开关性能,这使得它在高频应用中能够显著降低功率损耗。
  此外,该器件具备良好的热稳定性,在高负载条件下依然可以保持稳定的性能输出。
  其封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK,提供优秀的散热性能。
  该器件还具备短路保护和过温保护功能,提高了系统的可靠性。

应用

这款 MOSFET 常用于多种工业和消费类电子设备中,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电动工具中的电机驱动
  - 新能源汽车中的电池管理系统
  - 太阳能逆变器
  - 高效负载开关

HH18N4R7C101LT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.07018卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容4.7 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-