时间：2025/7/9 3:54:02
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HH18N4R0B500CT是一种高压、高频开关应用的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域，其优异的开关特性和导通特性使其成为高效率功率转换的理想选择。
HH18N4R0B500CT基于先进的半导体制造工艺设计，具备较低的导通电阻和优化的栅极电荷参数，从而降低了导通损耗和开关损耗。同时，其出色的热性能和电气稳定性为各类复杂工况提供了可靠保障。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：40mΩ（典型值）
栅极电荷：45nC（典型值）
开关频率：高达1MHz
功耗：36W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
HH18N4R0B500CT具有以下关键特性：
1. 高耐压能力（500V），适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻（40mΩ典型值），能够减少导通损耗。
3. 优化的栅极电荷参数（45nC典型值），有效降低开关损耗。
4. 支持高频开关操作（高达1MHz），适用于高频功率转换电路。
5. 工作温度范围宽广（-55℃至+150℃），适应恶劣环境下的运行需求。
6. TO-220封装提供良好的散热性能和机械可靠性。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
HH18N4R0B500CT适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 逆变器
5. 光伏系统中的功率转换
6. 电池充电管理
7. 工业自动化设备中的功率控制
8. 电磁阀和继电器驱动
IRF540N
FQP18N50C
STP18NF50
IXFK18N50T
