时间：2025/7/1 4:03:37
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HH18N3R9B500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力。它通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及各种工业电子设备中。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：9A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：25nC
反向恢复时间：75ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
HH18N3R9B500CT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（500V），使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），能够减少功率损耗并提高速开关性能，适合高频应用场合。
4. 低栅极电荷和输出电容，减少了驱动功耗。
5. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +150℃），适应恶劣的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
HH18N3R9B500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 各种工业电子设备中的负载开关和保护电路。
5. 照明系统中的 LED 驱动控制。
6. 逆变器和 UPS 系统中的功率调节组件。
IRF540N, FQP17P06, STP16NF06
