时间：2025/6/29 13:08:28
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HH18N331J500CT 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用 N 沟道增强型设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低系统功耗并提高效率。
该芯片适用于需要高效能和高可靠性的应用环境，例如 DC-DC 转换器、逆变器、负载开关等场景。
型号：HH18N331J500CT
类型：MOSFET (N沟道)
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：33A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（典型值，@Vgs=10V）
总功耗（Ptot）：330W
结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
HH18N331J500CT 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，最大漏源电压为 500V，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能，支持高频工作，有助于减小滤波元件尺寸。
4. 强大的电流承载能力，连续漏极电流高达 33A。
5. 优异的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业需求。
HH18N331J500CT 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业电机驱动和逆变器电路。
3. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统。
4. 电动车和混合动力汽车的动力电子控制单元。
5. 各种负载开关和保护电路。
6. 不间断电源（UPS）和电池充电管理系统。
IRFP260N
STP33NF06
FDP18N50C
