时间：2025/12/23 13:51:39
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HH18N330G101CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型器件。它采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种功率转换和电源管理应用。该器件的工作电压范围广，能够在高频条件下保持高效率，同时具备出色的热性能和可靠性。
型号：HH18N330G101CT
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-247
Vds（漏源极击穿电压）：330V
Rds(on)（导通电阻）：100mΩ
Id（连续漏极电流）：18A
栅极电荷：65nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
功耗：180W
HH18N330G101CT 具有以下主要特性：
1. 低导通电阻：该器件的导通电阻仅为 100mΩ，可显著降低导通损耗。
2. 高耐压能力：支持高达 330V 的漏源极击穿电压，适合高压应用场景。
3. 快速开关特性：由于其优化的栅极电荷设计，HH18N330G101CT 能够实现快速开关操作，减少开关损耗。
4. 优异的热稳定性：即使在高温环境下，该器件也能保持稳定的性能输出。
5. 高电流处理能力：持续漏极电流为 18A，能够满足大功率负载需求。
6. 可靠性强：经过严格的测试和验证，确保长期使用的稳定性和可靠性。
HH18N330G101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- AC-DC 和 DC-DC 转换器
- 隔离和非隔离电源模块
2. 电机驱动：
- 工业伺服系统
- 家用电器中的电机控制
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
4. LED 驱动器：
- 高功率 LED 照明系统
- 背光驱动
5. 电池管理系统：
- 电动汽车充电设备
- 储能系统
IRFZ44N, STP18NF06L, FDP18N35
