时间：2025/7/3 9:06:08
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HH18N2R7B101LT是一种高性能的MOSFET功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高效率。其封装形式为TO-252，适合表面贴装，广泛应用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等领域。
HH18N2R7B101LT具有出色的热性能和电气特性，使其在高温环境下依然保持稳定运行。同时，它符合RoHS标准，环保且可靠性高。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：32A
导通电阻：2.7mΩ
总栅极电荷：45nC
开关时间：开启时间9ns，关闭时间12ns
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（2.7mΩ），降低了导通损耗。
2. 高速开关能力，支持高达1MHz的工作频率。
3. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作。
4. 内置ESD保护电路，增强器件的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，采用无铅设计，绿色环保。
6. 小型化表面贴装封装（TO-252），节省PCB空间，便于自动化生产。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器及降压/升压模块。
3. 电池管理系统（BMS）中的功率控制。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 通信电源及服务器电源系统。
7. 其他需要高效功率开关的应用场景。
IRF7412, FDP068N06L, BSC028N06NS3
