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HH18N2R7B101LT 发布时间 时间:2025/7/3 9:06:08 查看 阅读:6

HH18N2R7B101LT是一种高性能的MOSFET功率晶体管,适用于高频开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高效率。其封装形式为TO-252,适合表面贴装,广泛应用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等领域。
  HH18N2R7B101LT具有出色的热性能和电气特性,使其在高温环境下依然保持稳定运行。同时,它符合RoHS标准,环保且可靠性高。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:2.7mΩ
  总栅极电荷:45nC
  开关时间:开启时间9ns,关闭时间12ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(2.7mΩ),降低了导通损耗。
  2. 高速开关能力,支持高达1MHz的工作频率。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
  4. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,采用无铅设计,绿色环保。
  6. 小型化表面贴装封装(TO-252),节省PCB空间,便于自动化生产。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器及降压/升压模块。
  3. 电池管理系统(BMS)中的功率控制。
  4. 电机驱动电路中的功率级开关。
  5. 工业自动化设备中的负载切换。
  6. 通信电源及服务器电源系统。
  7. 其他需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

IRF7412, FDP068N06L, BSC028N06NS3

HH18N2R7B101LT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.10526卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2.7 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-