时间：2025/6/21 9:55:58
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HH18N2R2C500CT是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关和高效率应用设计。该型号采用N沟道增强型结构，适合于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等应用场景。其封装形式通常为TO-220，具有良好的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：2A
栅极电荷：45nC
导通电阻：3.5Ω
工作温度范围：-55℃至+150℃
开关频率：最高可达500kHz
HH18N2R2C500CT具备以下显著特性：
1. 高击穿电压（500V）使其能够在高压环境中稳定运行。
2. 低导通电阻（3.5Ω）减少了功率损耗，提高了整体效率。
3. 小巧的封装和高效的散热设计使其易于集成到各种电路中。
4. 快速开关能力（支持高达500kHz的工作频率）确保在高频应用中表现优异。
5. 极低的反向恢复电荷有效降低了开关损耗。
6. 优秀的热稳定性保证了器件在极端温度条件下的可靠性。
7. 具备较高的雪崩耐量，增强了器件在异常情况下的抗冲击能力。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 负载开关和保护电路中的快速切换元件。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备中的关键组件。
IRF540N, FQP27P06, STP2NB50Z
