时间：2025/7/10 12:40:47
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HH18N272J500CT是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关和功率管理应用，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。其设计优化了在高电流条件下的性能，同时保证了出色的热稳定性和可靠性。HH18N272J500CT通常用于电源转换、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率处理的应用场景。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了良好的电气特性和耐用性。此外，它还支持表面贴装技术（SMD），适合自动化生产和紧凑型设计需求。
型号：HH18N272J500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：18V
连续漏极电流(Id)：27A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V至4.5V
导通电阻(Rds(on))：5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263(表面贴装)
HH18N272J500CT的主要特点包括：
1. 低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提升效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器。
3. 高电流承载能力，额定连续漏极电流为27A，可满足大功率应用的需求。
4. 宽工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种恶劣环境。
5. 栅极电荷低，有助于减少驱动损耗。
6. 热稳定性好，长期使用中性能可靠。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
8. 表面贴装封装，便于大规模生产及节省空间。
HH18N272J500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理。
6. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
7. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRFZ44N, FDP151N10L, AO3400
