时间：2025/7/10 1:06:30
阅读：37
HH18N271J101CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于高频开关应用场合。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及其他需要高效功率转换的场景。
该芯片由华润微电子（HuaRun Microelectronics）生产，属于其高性能功率 MOSFET 系列产品之一。通过优化的制造工艺，HH18N271J101CT 提供了卓越的电气性能和稳定性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：96A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：125nC
总电容：450pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TOLL
HH18N271J101CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 优秀的热性能表现，能够在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于全球市场。
6. 支持汽车级应用，具备更高的可靠性和一致性。
这些特点使得 HH18N271J101CT 成为高功率密度应用的理想选择。
HH18N271J101CT 的主要应用领域包括：
1. 高效 DC-DC 转换器设计，用于服务器、通信设备和工业电源。
2. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机驱动和电池管理系统。
3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换。
4. 工业自动化设备中的开关电源和负载控制。
5. 高端消费类电子产品中的高性能电源模块。
其出色的电气性能和可靠性使其成为多种复杂应用场景下的首选解决方案。
IRFB4110TRPBF, CSD18540KCS
