HH18N270J500CT是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高功率和高频开关场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等优势。
HH18N270J500CT属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足工业及汽车领域对高效能功率转换的需求,适用于多种电源管理应用,例如DC-DC转换器、电机驱动器以及太阳能逆变器等。
最大漏源电压:1800V
连续漏极电流:27A
导通电阻:0.03Ω
栅极电荷:45nC
开关时间:开启时间120ns,关断时间90ns
工作结温范围:-55℃至175℃
HH18N270J500CT具有以下显著特点:
1. 高耐压能力,额定电压高达1800V,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻(Rds(on))确保在高电流操作下减少功率损耗。
3. 快速开关特性使得该器件非常适合高频开关应用,能够有效降低开关损耗。
4. 极低的栅极电荷提高了驱动效率。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下长时间运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
HH18N270J500CT广泛应用于以下领域:
1. 工业级DC-DC转换器和AC-DC电源模块。
2. 太阳能光伏逆变器中的功率转换电路。
3. 电动汽车和混合动力汽车的电机驱动系统。
4. 高频开关电源(SMPS)解决方案。
5. 各类大功率负载控制电路,如工业加热设备和焊接机。
6. UPS不间断电源系统的功率管理部分。
由于其高压和高效的特点,该器件在需要高可靠性和高效率的场合表现尤为突出。
HH18N270J600CT, HH18N270J400CT