时间：2025/7/10 12:40:00
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HH18N270F101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高功率密度和高频应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等场景。
HH18N270F101CT 的封装形式为 TO-247-3，具备良好的散热性能和电气稳定性，确保在高电流和高压条件下能够稳定工作。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：56A
导通电阻：9.5mΩ
栅极电荷：110nC
总功耗：240W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
HH18N270F101CT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗。
2. 高频开关能力，适用于高效率开关电源。
3. 快速开关特性，减少开关损耗并提升系统整体效率。
4. 高耐压设计，支持高达 1200V 的漏源电压，适合高压应用场景。
5. 强大的散热性能，保证长期可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
HH18N270F101CT 广泛应用于以下领域：
1. 工业电机驱动及控制。
2. 太阳能逆变器和风能转换系统。
3. 高效 DC-DC 转换器。
4. 不间断电源 (UPS) 和其他高功率电源设备。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电力电子系统。
6. 各种需要高电压、大电流切换的应用场景。
HH18N270F102CT, IRFP270N, STP270N12F7
