时间：2025/7/4 4:35:37
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HH18N221J101CT 是一款基于 MOS 工艺的高压 NMOS 场效应晶体管。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。
其封装形式为 TO-220，适合功率型设计需求，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：700V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：4A
导通电阻：3.5Ω
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
HH18N221J101CT 的主要特性包括高耐压能力，能够承受高达 700V 的漏源电压，这使得它非常适合应用于需要高电压操作的场景中。此外，该晶体管拥有较低的导通电阻，仅为 3.5Ω，在高电流情况下可以减少能量损耗并提升效率。
该器件还具有快速开关特性，支持高频工作环境，有助于降低电磁干扰和提高系统响应速度。
在热管理方面，HH18N221J101CT 使用了 TO-220 封装，这种封装形式提供了较大的散热面积，从而确保长时间稳定运行。另外，其工作温度范围广泛，从 -55℃ 到 +150℃，能够在恶劣环境下正常运作。
HH18N221J101CT 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 高频开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制器
4. 逆变器电路
5. 照明控制及镇流器
6. 其他需要高电压、大电流处理能力的工业控制系统。
由于其卓越的电气性能和可靠性，这款 NMOS 晶体管成为众多工程师首选的解决方案之一。
IRF840,
FQP19N50,
STP12NM60,
IXTH40N50L
