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HH18N220J500CT 发布时间 时间:2025/7/4 4:34:38 查看 阅读:8

HH18N220J500CT是一种高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等场景。该型号为N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合高频应用环境。
  HH18N220J500CT采用TO-247封装形式,能够提供良好的散热性能,使其在高功率应用场景中表现出色。其设计目标是满足工业、汽车和消费电子领域对高效能功率器件的需求。

参数

最大漏源电压:220V
  连续漏极电流:500A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:180nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

HH18N220J500CT具备以下关键特性:
  1. 高耐压能力:支持高达220V的工作电压,适用于高压系统。
  2. 大电流承载能力:连续漏极电流高达500A,确保在大功率场景下的稳定运行。
  3. 极低导通电阻:仅1.8mΩ的导通电阻有效降低了功率损耗,提升了整体效率。
  4. 快速开关性能:较小的栅极电荷使得器件能够以较高的频率进行切换,适合高频应用。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在-55℃至+175℃的温度范围内正常工作,适应多种极端环境。
  6. 可靠的封装设计:TO-247封装提供优异的散热性能,确保长时间高负载运行时的稳定性。

应用

HH18N220J500CT主要应用于以下领域:
  1. 工业设备:如变频器、伺服驱动器和逆变器等需要高功率和高效率的场合。
  2. 汽车电子:用于电动车辆的牵引逆变器、车载充电器以及DC-DC转换器。
  3. 电源供应:包括不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和其他高功率电源解决方案。
  4. 电机控制:实现高效的电机驱动和调速功能。
  5. 其他功率转换应用:例如焊接设备和感应加热装置。

替代型号

IRFP260N, STW45N120MD, CSD18540KCS

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HH18N220J500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.04987卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容22 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-