时间：2025/7/4 4:34:38
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HH18N220J500CT是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等场景。该型号为N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合高频应用环境。
HH18N220J500CT采用TO-247封装形式，能够提供良好的散热性能，使其在高功率应用场景中表现出色。其设计目标是满足工业、汽车和消费电子领域对高效能功率器件的需求。
最大漏源电压：220V
连续漏极电流：500A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：180nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
HH18N220J500CT具备以下关键特性：
1. 高耐压能力：支持高达220V的工作电压，适用于高压系统。
2. 大电流承载能力：连续漏极电流高达500A，确保在大功率场景下的稳定运行。
3. 极低导通电阻：仅1.8mΩ的导通电阻有效降低了功率损耗，提升了整体效率。
4. 快速开关性能：较小的栅极电荷使得器件能够以较高的频率进行切换，适合高频应用。
5. 广泛的工作温度范围：能够在-55℃至+175℃的温度范围内正常工作，适应多种极端环境。
6. 可靠的封装设计：TO-247封装提供优异的散热性能，确保长时间高负载运行时的稳定性。
HH18N220J500CT主要应用于以下领域：
1. 工业设备：如变频器、伺服驱动器和逆变器等需要高功率和高效率的场合。
2. 汽车电子：用于电动车辆的牵引逆变器、车载充电器以及DC-DC转换器。
3. 电源供应：包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和其他高功率电源解决方案。
4. 电机控制：实现高效的电机驱动和调速功能。
5. 其他功率转换应用：例如焊接设备和感应加热装置。
IRFP260N, STW45N120MD, CSD18540KCS
