时间：2025/7/3 9:13:40
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HH18N220F101CT是一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等应用领域。其高击穿电压（220V）和低导通电阻特性使其成为高效能功率转换的理想选择。
HH18N220F101CT通过优化的芯片设计实现了较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
最大漏源电压：220V
连续漏极电流：18A
导通电阻：15mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：65nC（典型值）
输入电容：1350pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压（220V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（15mΩ），降低导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷和输出电容的设计。
4. 良好的热性能，适合高功率密度的应用场景。
5. 宽工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. 工业自动化设备
6. 太阳能微型逆变器
7. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
IRFP220N, STP18NF220, FDP18N22
