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HH18N220F101CT 发布时间 时间:2025/7/3 9:13:40 查看 阅读:7

HH18N220F101CT是一款高压N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等应用领域。其高击穿电压(220V)和低导通电阻特性使其成为高效能功率转换的理想选择。
  HH18N220F101CT通过优化的芯片设计实现了较低的栅极电荷和输出电容,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。

参数

最大漏源电压:220V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:15mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:65nC(典型值)
  输入电容:1350pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 高击穿电压(220V),确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(15mΩ),降低导通损耗,提升系统效率。
  3. 快速开关性能,得益于低栅极电荷和输出电容的设计。
  4. 良好的热性能,适合高功率密度的应用场景。
  5. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 逆变器
  5. 工业自动化设备
  6. 太阳能微型逆变器
  7. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制

替代型号

IRFP220N, STP18NF220, FDP18N22

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HH18N220F101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.17436卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容22 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-