HH18N220F101CT是一款高压N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等应用领域。其高击穿电压(220V)和低导通电阻特性使其成为高效能功率转换的理想选择。
HH18N220F101CT通过优化的芯片设计实现了较低的栅极电荷和输出电容,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
最大漏源电压:220V
连续漏极电流:18A
导通电阻:15mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:65nC(典型值)
输入电容:1350pF(典型值)
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
1. 高击穿电压(220V),确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻(15mΩ),降低导通损耗,提升系统效率。
3. 快速开关性能,得益于低栅极电荷和输出电容的设计。
4. 良好的热性能,适合高功率密度的应用场景。
5. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. 工业自动化设备
6. 太阳能微型逆变器
7. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制
IRFP220N, STP18NF220, FDP18N22