时间：2025/6/27 12:43:41
阅读：5
HH18N1R2D500CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等场景。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合在高频应用中提供高效的功率处理能力。
该器件采用 TO-220 封装形式，便于散热设计，并且具备出色的耐用性和可靠性，能够满足工业级和消费级电子产品的严格要求。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：36nC
总电容：1200pF
功耗：350W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
HH18N1R2D500CT 的主要特点是其超低的导通电阻（仅 1.2mΩ），这使得它在高电流应用中能显著减少功率损耗，提高系统效率。此外，它的高开关速度使其非常适合高频功率转换器和 DC-DC 转换器的设计。
该器件还具有优秀的热稳定性，在极端温度条件下仍能保持可靠的性能。同时，其高耐压能力（500V）使它能够在高压环境下正常运行，适用于各种工业和汽车电子设备。
由于采用了 TO-220 封装，HH18N1R2D500CT 具备较大的散热面积，有助于降低芯片的工作温度，从而延长使用寿命并提升整体系统的稳定性。
HH18N1R2D500CT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 工业控制设备
6. 电动车充电系统
7. 高效 LED 驱动电路
8. 太阳能逆变器
该器件因其卓越的性能和可靠性，成为这些应用中的理想选择。
IRFP460, STP18NF50, FQA18N50C
