时间：2025/11/5 23:15:46
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HH18N1R2B500LT 是一款由华虹半导体（HuaHong Semiconductor）推出的基于超级结（Super Junction）技术的高压功率MOSFET器件，专为高效率、高频开关电源应用设计。该器件采用先进的沟槽式超级结结构，在保持低导通电阻的同时实现了优异的开关性能和耐压能力。其额定电压为500V，连续漏极电流可达18A（在25°C下），属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于服务器电源、通信电源、工业电源以及光伏逆变器等对能效要求较高的领域。
该型号封装形式为TO-247，具备良好的热传导性能，适合大功率散热需求。同时，HH18N1R2B500LT通过优化体二极管反向恢复特性，降低了开关过程中的电压尖峰与电磁干扰（EMI），提升了系统可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具有高抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，能够在恶劣工作环境下稳定运行。
型号：HH18N1R2B500LT
制造商：华虹半导体
器件类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id @ 25°C）：18A
脉冲漏极电流（Idm）：72A
栅源电压范围（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on) max @ Vgs=10V）：1.2Ω
导通电阻（Rds(on) typ @ Vgs=10V）：1.0Ω
栅极电荷（Qg typ）：65nC
输入电容（Ciss typ）：2800pF
输出电容（Coss typ）：450pF
反向恢复时间（trr typ）：45ns
反向恢复电荷（Qrr typ）：280nC
阈值电压（Vth min~max）：3V ~ 5V
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
HH18N1R2B500LT 采用华虹半导体自主研发的第五代超级结MOSFET工艺平台，显著提升了器件的比导通电阻（FOM = Rds(on) × Area）性能，从而在相同芯片尺寸下实现更低的导通损耗。其核心优势在于将高耐压与低导通电阻完美结合，使得在65kHz以上高频工作的AC-DC转换器中表现出卓越的能效水平。该器件的Rds(on)仅为1.2Ω，相较于前代产品降低约15%，有效减少了满载工况下的温升，提高系统长期运行稳定性。
在动态特性方面，HH18N1R2B500LT 具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这有助于减少驱动损耗并加快开关速度，特别适用于LLC谐振变换器和硬开关PFC电路。其输入电容（Ciss）控制在合理范围内，避免了过大的驱动电流需求，兼容主流控制器IC的驱动能力。更重要的是，该器件优化了体内二极管的反向恢复行为，trr典型值为45ns，Qrr为280nC，大幅抑制了关断时的电流反向恢复尖峰，降低电压应力，防止桥臂直通风险，提升系统EMI表现。
热性能方面，得益于TO-247封装出色的热阻特性（RθJC ≈ 0.8°C/W），HH18N1R2B500LT 能够高效地将芯片热量传导至散热器，支持长时间高负载运行。其最大工作结温达150°C，并具备良好的热循环耐久性，适用于工业级严苛环境。此外，器件通过了100% UIS（非钳位感性开关）测试，确保每颗产品都具有可靠的抗雪崩能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。整体来看，这款MOSFET在效率、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中高端电源应用的理想选择之一。
HH18N1R2B500LT 主要面向高性能开关电源系统，尤其适用于需要高效率与高功率密度的设计场景。典型应用包括通信基站用48V转12V中间总线转换器（IBC）、数据中心服务器PSU中的有源功率因数校正（PFC）级、工业级开关电源（SMPS）以及太阳能微型逆变器的DC-DC升压环节。在连续导通模式（CCM）PFC电路中，该器件凭借其低Rds(on)和优良的开关特性，可实现满载效率超过98%的表现，满足80 PLUS Titanium等超高效能认证要求。
此外，该MOSFET也适用于LLC半桥或全桥谐振变换器的一次侧开关管，配合ZVS软开关技术进一步降低开关损耗，提升整体能效。在光伏储能系统中，HH18N1R2B500LT 可用于直流组串式逆变器的前置升压模块，处理来自太阳能板的波动输入电压，并维持稳定的母线电压输出。由于其具备较强的抗冲击能力和稳定的高温性能，亦可用于工业电机驱动、医疗电源及高端UPS不间断电源系统中，保障关键设备持续稳定供电。总之，凡涉及500V耐压等级、高频率切换和高效能转换的应用场合，HH18N1R2B500LT 均展现出强大的竞争力和技术优势。
STW18N50M5, IPW65R190CFD, FQP18N50, TK18A50U
