时间：2025/6/27 12:43:18
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HH18N181J500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 场效应晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及各种功率转换电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而能够有效降低功耗并提升系统效率。
HH18N181J500CT 的设计使其能够在高频率和高负载条件下稳定运行，并且具备良好的热特性和电气特性，适用于多种工业和消费类电子应用。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=20ns, toff=45ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
HH18N181J500CT 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：支持高达 500V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在典型条件下，其导通电阻仅为 0.18Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能：短开关时间和小栅极电荷使得该器件非常适合高频应用。
4. 热稳定性强：出色的散热能力和高温工作范围确保了其在恶劣条件下的可靠性。
5. 抗静电能力强：通过内部保护结构增强了器件的鲁棒性，减少了失效风险。
6. 封装坚固耐用：采用 TO-247 标准封装，便于安装和维护，同时提供良好的散热路径。
HH18N181J500CT 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. 逆变器和变频器：为电机控制和功率调节提供高效的开关功能。
3. DC-DC 转换器：实现高效的电压转换和稳压输出。
4. 工业设备：如焊接机、不间断电源（UPS）等需要高功率处理的应用。
5. 汽车电子：包括电动助力转向系统（EPS）、车载充电器以及其他相关组件。
6. 消费类电子产品：例如家用电器中的功率管理单元。
IRFP460, STP18NM50, FQA18N50C
