时间：2025/6/16 9:11:32
阅读：2
HH18N181F500CT是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关电源、电机驱动和功率转换等应用领域。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合于需要高效能和稳定性的电路设计。
HH系列MOSFET由国内知名厂商生产，具备与国际品牌相媲美的性能表现，同时提供更具竞争力的价格优势。
最大漏源电压：1800V
连续漏极电流：18A
栅极电荷：39nC
导通电阻：0.6Ω
总功耗：280W
工作温度范围：-55℃至+175℃
HH18N181F500CT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达1800V的漏源电压，确保在高压环境下的可靠运行。
2. 较低的导通电阻（典型值为0.6Ω），有助于减少传导损耗并提升效率。
3. 快速开关速度，得益于其优化的栅极电荷设计，适用于高频应用。
4. 宽工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种严苛的工作条件。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. TO-247封装提供良好的散热性能和机械稳定性。
HH18N181F500CT适用于多种工业和消费电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动控制
4. 太阳能逆变器
5. 不间断电源（UPS）系统
6. 电动工具和家电中的功率调节模块
该器件凭借其优异的电气特性和可靠性，在这些应用中表现出色，能够满足对高效功率转换的需求。
IRFP460, STGW18N65DF2
