时间：2025/7/1 22:18:22
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HH18N180F101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理及转换系统。
该 MOSFET 的典型应用场景包括开关电源、逆变器、电机驱动以及 DC-DC 转换器等，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
型号：HH18N180F101CT
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：180V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：10.1A
导通电阻(Rds(on))：95mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：14W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
HH18N180F101CT 具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有效减少导通损耗并提升整体效率。
2. 高耐压能力，最大漏源电压可达 180V，适合多种高压应用场景。
3. 快速开关性能，具备较低的输入电容和栅极电荷，有助于降低开关损耗。
4. 热稳定性强，能够在较宽的温度范围内可靠工作，最高结温可达 175℃。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
HH18N180F101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中用于控制直流电机的速度和方向。
3. DC-DC 转换器中实现高效的电压转换。
4. 电池管理系统 (BMS) 中用于充放电保护和负载切换。
5. 各种逆变器和 UPS 系统中提供稳定可靠的功率输出。
IRFZ44N, FDP5500, STP10NK60Z
