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HH18N180F101CT 发布时间 时间:2025/7/1 22:18:22 查看 阅读:6

HH18N180F101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性,适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理及转换系统。
  该 MOSFET 的典型应用场景包括开关电源、逆变器、电机驱动以及 DC-DC 转换器等,能够显著提高系统的效率并降低功耗。

参数

型号:HH18N180F101CT
  类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):180V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):10.1A
  导通电阻(Rds(on)):95mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):14W
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

HH18N180F101CT 具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有效减少导通损耗并提升整体效率。
  2. 高耐压能力,最大漏源电压可达 180V,适合多种高压应用场景。
  3. 快速开关性能,具备较低的输入电容和栅极电荷,有助于降低开关损耗。
  4. 热稳定性强,能够在较宽的温度范围内可靠工作,最高结温可达 175℃。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

HH18N180F101CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中用于控制直流电机的速度和方向。
  3. DC-DC 转换器中实现高效的电压转换。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中用于充放电保护和负载切换。
  5. 各种逆变器和 UPS 系统中提供稳定可靠的功率输出。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, STP10NK60Z

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HH18N180F101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.17436卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容18 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-