时间：2025/6/25 20:14:26
阅读：5
HH18N152J160CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频应用等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够显著提高系统的效率和功率密度。
最大漏源电压：150V
最大连续漏极电流：16A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：30nC
开关频率：最高可达5MHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
HH18N152J160CT采用了先进的氮化镓技术，具备极低的导通电阻和栅极电荷，从而实现更高的开关效率和更低的功耗。
其高频率操作能力使其非常适合用于小型化和高效化的电源设计中。
此外，该器件具有出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
内置ESD保护电路进一步增强了器件的鲁棒性，减少了系统故障的风险。
封装形式紧凑，便于集成到各种复杂电路中。
HH18N152J160CT广泛应用于高频AC-DC和DC-DC转换器、图腾柱PFC电路、无线充电模块、激光雷达驱动以及各类工业自动化设备。
由于其高效的功率转换能力，特别适合于对能效要求较高的消费类电子产品，如笔记本适配器、快充头等。
在通信领域，它可用于射频放大器和其他高频信号处理场景。
HGN15016A, EPC2020
