时间：2025/6/29 13:01:56
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HH18N152F160CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适用于多种电力电子应用。HH18N152F160CT 采用 TO-247 封装形式，能够承受较高的电压和电流，同时提供优异的电气性能。
该器件广泛用于功率转换、电机驱动、工业电源、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等场景。
最大漏源电压：1500V
最大连续漏极电流：160A
导通电阻（Rds(on)）：0.012Ω
栅极电荷：95nC
最大功耗：300W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
HH18N152F160CT 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达 1500V 的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 大电流处理能力：支持高达 160A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 超低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 0.012Ω，显著降低传导损耗。
4. 快速开关特性：栅极电荷较低，有助于实现高效的高频开关操作。
5. 高可靠性：经过严格的工艺控制和测试，确保器件在极端温度和负载条件下的稳定性。
6. 热性能优越：采用 TO-247 封装，提供良好的散热性能，从而提升整体系统效率。
HH18N152F160CT 主要应用于以下领域：
1. 工业电源：包括开关电源、直流-直流转换器等。
2. 不间断电源（UPS）：为关键设备提供可靠的电力支持。
3. 电机驱动：用于工业电机控制及电动车驱动系统。
4. 太阳能逆变器：将太阳能电池板产生的直流电高效转换为交流电。
5. 其他电力电子设备：如焊接机、充电站等需要高电压和大电流的应用场景。
IRFP260N, STP160N15F7
