时间：2025/7/10 1:06:06
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HH18N121G500CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换系统中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够提供高效的功率传输和较低的能耗，适合在高频开关应用中使用。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：0.018Ω
栅极电荷：150nC
输入电容：1200pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-247
HH18N121G500CT 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压高达 1200V，适用于高压环境下的功率转换。
2. 极低的导通电阻（0.018Ω），降低了传导损耗并提高了效率。
3. 快速开关特性，可支持高频应用，同时减少了开关损耗。
4. 优异的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能。
5. 内置反向恢复二极管，有助于降低开关噪声和提高系统可靠性。
6. 封装坚固耐用，具备良好的散热性能。
HH18N121G500CT 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 工业电机驱动器中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的牵引逆变器。
5. 不间断电源（UPS）系统中的关键功率组件。
6. 各类工业自动化设备中的功率管理电路。
HH18N121G450CT, CSD18540KTT, IRFPS29N120
