时间：2025/3/25 9:59:20
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HH18N121G101CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效功率转换应用。该器件采用先进的GaN-on-Si工艺制造，具备出色的开关性能和低导通电阻特性，能够显著提升电源系统的效率和功率密度。
HH18N121G101CT设计用于工业和消费类应用中的DC-DC转换器、AC-DC转换器、电机驱动器以及可再生能源系统等场景。
额定电压：650V
额定电流：18A
导通电阻：121mΩ
栅极电荷：70nC
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-247-4L
HH18N121G101CT的核心优势在于其卓越的高频特性和低损耗性能。相比传统的硅基MOSFET，该器件具有更低的导通电阻和更快的开关速度，从而减少传导损耗和开关损耗。
此外，HH18N121G101CT具备较高的击穿电压和热稳定性，能够在高温环境下长期稳定运行。其增强型（E-mode）结构简化了驱动电路设计，并支持零电压开关（ZVS）拓扑，进一步提高效率。
该芯片还具有良好的抗电磁干扰能力，适合复杂电磁环境下的应用需求。
- 开关电源（SMPS）
- 服务器和通信设备中的电源模块
- 新能源汽车车载充电器（OBC）
- 光伏逆变器及储能系统
- 工业电机驱动和伺服控制器
- 快速充电适配器和其他消费类电子产品
GXT18N65G101, NH18N120G095CT
