HH18N120G101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，广泛应用于工业控制、电机驱动、电源转换等领域。这款 IGBT 具有高电压耐受能力、低导通损耗和快速开关特性，能够满足多种大功率应用需求。该型号采用了先进的沟槽式结构设计，进一步优化了其热性能和电气性能。
　　HH18N120G101CT 的主要目标市场包括但不限于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊接设备以及各类变频器等。通过结合低饱和电压和高可靠性，该器件在高频率运行时能够显著降低能耗并提高整体效率。

集电极-发射极击穿电压：1200V
　　额定电流：18A
　　最大功耗：250W
　　栅极阈值电压：4V 至 6V
　　导通压降（Vce(sat)）：1.8V（典型值，在特定测试条件下）
　　开关时间：开通时间 75ns，关断时间 95ns
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C

1. 高阻断电压能力，适合高压应用场景；
　　2. 极低的导通损耗，有效提升系统效率；
　　3. 快速的开关速度，支持高频操作；
　　4. 优秀的短路耐受能力，增强了系统的安全性；
　　5. 良好的温度稳定性，确保在极端环境下的可靠运行；
　　6. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路中。

1. 太阳能逆变器中的 DC-AC 转换电路；
　　2. 不间断电源（UPS）系统的核心功率开关元件；
　　3. 各类变频器及电机控制器中的功率调节模块；
　　4. 焊接设备中的高频电源管理单元；
　　5. 工业自动化设备中的精密功率控制部分。

STMicroelectronics - STGW18H120DF1, Infineon - FK18N120S6, ON Semiconductor - NTBG18N120L4G