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HH18N120F101CT 发布时间 时间:2025/7/4 19:56:12 查看 阅读:15

HH18N120F101CT是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高频、高效率和高压的应用场景。该型号属于HH系列,采用先进的场截止(Field Stop)技术,具备低开关损耗和出色的热稳定性,广泛应用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、新能源逆变器等领域。
  该芯片结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,能够实现高效的电力转换和控制。

参数

集电极-发射极击穿电压:1200V
  连续集电极电流:18A
  总功耗:250W
  最大结温:175℃
  开关频率范围:最高支持20kHz
  封装形式:TO-247-3L

特性

HH18N120F101CT具有以下显著特点:
  1. 高击穿电压设计(1200V),适合高压环境下的应用。
  2. 低导通压降(Vce(sat)),有效降低功率损耗,提升系统效率。
  3. 超低开关损耗,适用于高频开关场合。
  4. 内置快速恢复二极管,进一步优化动态性能。
  5. 出色的热稳定性和可靠性,适应极端温度条件。
  6. 封装紧凑,易于集成到各类电力电子设备中。

应用

HH18N120F101CT广泛用于以下领域:
  1. 工业自动化中的电机驱动和伺服系统。
  2. 新能源发电系统的逆变器和控制器。
  3. 不间断电源(UPS)和应急电源系统。
  4. 焊接设备和感应加热装置。
  5. 高效DC-AC转换器及功率调节设备。
  其卓越的电气性能和可靠性使其成为高压、高频电力转换应用的理想选择。

替代型号

HH18N120F102CT, CSD18566KTT, IRG4PC20UD

HH18N120F101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.17436卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-