HH18N120F101CT是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高频、高效率和高压的应用场景。该型号属于HH系列,采用先进的场截止(Field Stop)技术,具备低开关损耗和出色的热稳定性,广泛应用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、新能源逆变器等领域。
该芯片结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,能够实现高效的电力转换和控制。
集电极-发射极击穿电压:1200V
连续集电极电流:18A
总功耗:250W
最大结温:175℃
开关频率范围:最高支持20kHz
封装形式:TO-247-3L
HH18N120F101CT具有以下显著特点:
1. 高击穿电压设计(1200V),适合高压环境下的应用。
2. 低导通压降(Vce(sat)),有效降低功率损耗,提升系统效率。
3. 超低开关损耗,适用于高频开关场合。
4. 内置快速恢复二极管,进一步优化动态性能。
5. 出色的热稳定性和可靠性,适应极端温度条件。
6. 封装紧凑,易于集成到各类电力电子设备中。
HH18N120F101CT广泛用于以下领域:
1. 工业自动化中的电机驱动和伺服系统。
2. 新能源发电系统的逆变器和控制器。
3. 不间断电源(UPS)和应急电源系统。
4. 焊接设备和感应加热装置。
5. 高效DC-AC转换器及功率调节设备。
其卓越的电气性能和可靠性使其成为高压、高频电力转换应用的理想选择。
HH18N120F102CT, CSD18566KTT, IRG4PC20UD