时间：2025/6/25 20:20:46
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HH18N101J500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景。
型号：HH18N101J500CT
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源极电压(Vds)：50V
连续漏极电流(Id)：10A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：16W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
电容：输入电容(Ciss)：1380pF，输出电容(Coss)：260pF
HH18N101J500CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 优化的栅极电荷设计，可以减少驱动损耗。
4. 强大的雪崩能力，提高了系统的可靠性。
5. 良好的热稳定性，可在极端温度环境下正常工作。
6. 封装坚固耐用，便于散热和安装。
这些特点使得 HH18N101J500CT 成为各种功率转换和控制应用的理想选择。
HH18N101J500CT 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池保护和管理系统。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. LED 驱动器和照明系统。
6. 通信电源和适配器。
由于其卓越的性能和可靠性，HH18N101J500CT 在需要高效能功率转换的场合表现出色。
IRF540N, FQP19N50, STP10NK50Z
