时间：2025/6/21 4:27:10
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HH18N100J101CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于高电压、大电流场景，如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
该型号的设计优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，从而在高频开关应用中提供更高的效率和更少的功率损耗。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：1200pF
开关时间：开启时间 70ns，关断时间 35ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
HH18N100J101CT具有以下关键特性：
1. 超低导通电阻，确保高效能量传输和更低的发热。
2. 快速开关速度，适用于高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，可承受瞬态电压尖峰。
4. 符合RoHS标准，环保设计。
5. 小尺寸封装，便于PCB布局和节省空间。
6. 支持表面贴装技术（SMD），提高了自动化装配的可靠性。
HH18N100J101CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子、工业设备和通信系统。
3. 电机驱动电路，尤其是需要高效率和快速响应的应用。
4. 电池管理系统（BMS），用于过流保护和负载切换。
5. 照明系统中的调光和调压控制。
6. 各类逆变器和UPS电源系统。
IRFZ44N, FQP18N10, STP18NF10
