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HH18N100G500CT 发布时间 时间:2025/6/21 3:05:00 查看 阅读:3

HH18N100G500CT 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业控制、新能源、电力电子等领域。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的强大电流驱动能力,具有较低的开关损耗和导通损耗。其设计适用于高频开关场景,能有效提升系统的效率和可靠性。
  HH18N100G500CT 具备耐高压、低饱和压降以及快速开关速度等特点,同时内置反并联二极管以支持续流功能,从而适应多种复杂的电路应用需求。

参数

集电极-发射极击穿电压:1200V
  连续集电极电流:500A
  门极-发射极开启电压:10V
  最大功耗:300W
  工作温度范围:-40℃ 至 150℃
  封装形式:模块化封装

特性

HH18N100G500CT 提供出色的电气性能,包括高电压承受能力(1200V),大电流承载能力(500A),以及超低的导通压降,能够显著降低功率损耗。
  该器件还具备快速开关速度,减少开关过程中的能量损失,提高整体效率。
  内置的反并联二极管进一步增强了产品的实用性,使其非常适合需要高效能量转换的应用场景。
  此外,HH18N100G500CT 还拥有优异的热稳定性和机械强度,确保在极端环境条件下仍能可靠运行。

应用

HH18N100G500CT 主要应用于大功率变频器、逆变焊机、不间断电源(UPS)、风力发电系统、太阳能逆变器以及其他要求高效率和高可靠性的电力电子设备中。
  由于其出色的电气性能和散热能力,这款 IGBT 模块特别适合于对功率密度和热管理有严格要求的场合。
  同时,它也常用于电动汽车牵引逆变器以及工业电机驱动等应用领域。

替代型号

FF500R12ME4
  SKM500GB128D
  CM500DY-24N

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HH18N100G500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.07572卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容10 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-