时间：2025/7/2 15:38:51
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HH18N0R9B500CT是一款基于硅技术制造的高压功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要适用于高电压应用场景，例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的电子设备。其出色的耐压性能和低导通电阻特性使其在工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：5A
栅极阈值电压：3V~6V
导通电阻（典型值）：1.2Ω
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃~150℃
HH18N0R9B500CT具备优异的电气性能和可靠性。其主要特点包括：
1. 高击穿电压设计，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提升动态性能。
4. 内置ESD保护功能，增强器件抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 可靠性高，经过严格的质量测试流程。
HH18N0R9B500CT适用于多种高电压场景，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS），用于笔记本适配器、电视电源等。
2. DC-DC转换器，提供高效的电压调节功能。
3. 电机驱动，支持无刷直流电机和步进电机控制。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换部分。
6. 其他需要高电压、大电流切换的应用领域。
IRFP250N, STP90NF06, FDP18N90C
