您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HH18N0R7C500CT

HH18N0R7C500CT 发布时间 时间:2025/7/10 1:05:07 查看 阅读:5

HH18N0R7C500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频条件下实现高效能量转换。其封装形式为 TO-220,适合高功率应用场景。
  HH18N0R7C500CT 的设计重点在于降低传导损耗和开关损耗,同时提供卓越的热性能,以确保在严苛环境下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:700V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:0.07Ω
  栅极电荷:45nC
  总功耗:160W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

HH18N0R7C500CT 具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压:支持高达 700V 的漏源电压,适用于高压应用场合。
  2. 低导通电阻:仅为 0.07Ω,有效降低传导损耗。
  3. 快速开关能力:低栅极电荷(45nC),可实现高速开关操作。
  4. 高可靠性:经过严格测试,能够在极端温度范围内稳定工作。
  5. 热性能优越:采用 TO-220 封装,具备良好的散热能力。
  6. 低反向恢复电荷:优化了二极管行为,减少了开关过程中的能量损失。

应用

HH18N0R7C500CT 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 逆变器和变频器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 不间断电源(UPS)
  6. 太阳能逆变器
  7. 电动车及充电桩
  该芯片因其高性能和稳定性,在需要高效能量转换和控制的应用场景中表现出色。

替代型号

IRF840
  STP18NF50
  FQP18N50

HH18N0R7C500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.04987卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.7 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-