HH18N0R7C500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频条件下实现高效能量转换。其封装形式为 TO-220,适合高功率应用场景。
HH18N0R7C500CT 的设计重点在于降低传导损耗和开关损耗,同时提供卓越的热性能,以确保在严苛环境下的稳定运行。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:18A
导通电阻:0.07Ω
栅极电荷:45nC
总功耗:160W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
HH18N0R7C500CT 具有以下显著特性:
1. 高击穿电压:支持高达 700V 的漏源电压,适用于高压应用场合。
2. 低导通电阻:仅为 0.07Ω,有效降低传导损耗。
3. 快速开关能力:低栅极电荷(45nC),可实现高速开关操作。
4. 高可靠性:经过严格测试,能够在极端温度范围内稳定工作。
5. 热性能优越:采用 TO-220 封装,具备良好的散热能力。
6. 低反向恢复电荷:优化了二极管行为,减少了开关过程中的能量损失。
HH18N0R7C500CT 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 逆变器和变频器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 不间断电源(UPS)
6. 太阳能逆变器
7. 电动车及充电桩
该芯片因其高性能和稳定性,在需要高效能量转换和控制的应用场景中表现出色。
IRF840
STP18NF50
FQP18N50