时间：2025/7/10 1:05:07
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HH18N0R7C500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下实现高效能量转换。其封装形式为 TO-220，适合高功率应用场景。
HH18N0R7C500CT 的设计重点在于降低传导损耗和开关损耗，同时提供卓越的热性能，以确保在严苛环境下的稳定运行。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.07Ω
栅极电荷：45nC
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
HH18N0R7C500CT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：支持高达 700V 的漏源电压，适用于高压应用场合。
2. 低导通电阻：仅为 0.07Ω，有效降低传导损耗。
3. 快速开关能力：低栅极电荷（45nC），可实现高速开关操作。
4. 高可靠性：经过严格测试，能够在极端温度范围内稳定工作。
5. 热性能优越：采用 TO-220 封装，具备良好的散热能力。
6. 低反向恢复电荷：优化了二极管行为，减少了开关过程中的能量损失。
HH18N0R7C500CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器和变频器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 不间断电源（UPS）
6. 太阳能逆变器
7. 电动车及充电桩
该芯片因其高性能和稳定性，在需要高效能量转换和控制的应用场景中表现出色。
IRF840
STP18NF50
FQP18N50
