时间：2025/7/12 0:07:58
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HH18N0R5C500CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要应用于高频开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能。其封装形式为TO-220，便于散热设计和电路集成。
HH18N0R5C500CT属于N沟道增强型MOSFET，通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动，适用于多种功率转换和负载开关应用。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.05Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
最大功耗：210W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
HH18N0R5C500CT的主要特点是低导通电阻和快速开关性能，这使其在高频应用中能够显著降低功率损耗。此外，该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的工业环境。
具体特性包括：
1. 高耐压能力，能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压系统。
2. 大电流处理能力，连续漏极电流可达18A，满足大功率需求。
3. 极低的导通电阻（0.05Ω），减少传导损耗并提升效率。
4. 快速开关特性，栅极电荷仅为45nC，有助于降低开关损耗。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
6. 封装形式为TO-220，便于安装和散热管理。
HH18N0R5C500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能量转换，提供稳定的输出电压。
2. 电机驱动：控制电机的启动、停止和速度调节。
3. DC-DC转换器：实现直流电压的升降变换。
4. 负载开关：保护电路免受过流和短路的影响。
5. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）和伺服驱动器。
6. 新能源系统：例如太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
IRFP460, FQA18N50C, STP18NF50
