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HH18N0R5C101CT 发布时间 时间:2025/3/25 10:01:23 查看 阅读:13

HH18N0R5C101CT 是一款基于硅技术制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率、高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动和负载切换等。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高性能功率转换的理想选择。
  HH18N0R5C101CT 使用了先进的工艺设计,能够在高电流条件下保持较低的功耗,同时具备出色的热性能和可靠性。该芯片采用标准的 TO-220 封装形式,便于安装和散热管理。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

1. 极低的导通电阻(5mΩ 典型值),能够显著降低传导损耗。
  2. 高电流处理能力(30A 连续漏极电流),适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(45nC),可减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下的稳定性。
  5. 强大的抗雪崩能力,提高系统的可靠性和耐用性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅焊接兼容。
  7. TO-220 封装提供了良好的散热性能,便于集成到各种功率电路中。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  5. 各种功率管理模块中的高效功率转换组件。
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制和保护电路。

替代型号

IRF540N, FQP30N06L, STP30NF06

HH18N0R5C101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.06279卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.5 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-