时间：2025/3/25 10:01:23
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HH18N0R5C101CT 是一款基于硅技术制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率、高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动和负载切换等。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高性能功率转换的理想选择。
HH18N0R5C101CT 使用了先进的工艺设计，能够在高电流条件下保持较低的功耗，同时具备出色的热性能和可靠性。该芯片采用标准的 TO-220 封装形式，便于安装和散热管理。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻（5mΩ 典型值），能够显著降低传导损耗。
2. 高电流处理能力（30A 连续漏极电流），适合大功率应用。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷（45nC），可减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下的稳定性。
5. 强大的抗雪崩能力，提高系统的可靠性和耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接兼容。
7. TO-220 封装提供了良好的散热性能，便于集成到各种功率电路中。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
5. 各种功率管理模块中的高效功率转换组件。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制和保护电路。
IRF540N, FQP30N06L, STP30NF06
