时间：2025/11/6 4:39:28
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HH15N6R8C500LT是一款由华虹半导体（Hua Hong Semiconductor）推出的高压、高功率密度的超级结MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），主要面向工业电源、开关电源（SMPS）、服务器电源、光伏逆变器和电动汽车充电设备等高效率、高可靠性要求的应用场景。该器件基于先进的超级结（Super Junction）技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，在保持低导通损耗的同时显著降低了开关损耗，从而提高了系统整体能效。HH15N6R8C500LT的命名规则中，'HH'代表制造商华虹，'15N'表示额定电流为15A，'6R8'代表导通电阻约为6.8mΩ，'C500'指其漏源击穿电压为500V，'LT'可能表示其封装形式或产品系列版本。该器件通常采用TO-247或类似的高功率封装，具备良好的热性能和电气绝缘能力，适用于在高温环境下稳定运行。其设计兼顾了快速开关能力和抗雪崩能力，能够在瞬态过压和高di/dt条件下保持可靠工作。此外，该MOSFET还具备较低的寄生参数，有助于减少电磁干扰（EMI），提升系统EMI性能。
型号：HH15N6R8C500LT
制造商：华虹半导体（Hua Hong Semiconductor）
漏源击穿电压（BVDSS）：500V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：15A
脉冲漏极电流（IDM）：60A
导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V, ID=7.5A）：6.8mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：3800pF
输出电容（Coss）：950pF
反向传输电容（Crss）：75pF
总栅极电荷（Qg @ VGS=10V, VDS=400V）：85nC
反向恢复时间（trr）：35ns
最大工作结温（Tj max）：150°C
封装类型：TO-247
HH15N6R8C500LT采用华虹自主研发的第六代超级结MOSFET工艺平台，通过精确控制P柱和N柱的交替结构，实现了极低的导通电阻与优异的耐压能力之间的最佳平衡。其核心优势在于显著降低了单位面积下的RDS(on)，从而在相同封装下可承载更高电流，提升了功率密度。该器件在10V栅极驱动电压下，典型导通电阻仅为6.8mΩ，确保在大电流应用中产生更少的焦耳热，降低散热设计复杂度。同时，其栅极电荷（Qg）控制在85nC左右，有效减少了驱动损耗，特别适用于高频开关拓扑如LLC谐振转换器和有源钳位反激电路。该MOSFET具备良好的体二极管特性，反向恢复电荷（Qrr）较低，配合快速的反向恢复时间（约35ns），可减少关断过程中的尖峰电压，提高系统可靠性。此外，器件经过严格的雪崩测试，具备一定的抗重复雪崩能力，能够在突发负载切换或短路故障时提供额外保护。
在热管理方面，HH15N6R8C500LT采用高导热陶瓷基板和优化的内部引线设计，确保热量从芯片快速传导至外壳，支持长时间满载运行。其最大结温可达150°C，并支持在高温环境下持续工作，满足工业级和部分汽车级应用需求。器件还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，可在高噪声电力环境中稳定运行。制造过程中遵循AEC-Q101应力测试标准，确保批次一致性和长期可靠性。此外，该MOSFET与市场上主流500V超级结产品（如英飞凌CoolMOS、安森美SuperFET系列）具有良好的引脚兼容性，便于客户进行替代设计。
HH15N6R8C500LT广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其适合对功率密度和能效要求较高的场合。典型应用场景包括通信电源、服务器PSU、工业电机驱动电源模块以及太阳能微型逆变器。在桥式拓扑（如半桥、全桥）和软开关架构（如移相全桥、LLC谐振转换器）中，该器件凭借其低Qg和低Coss特性，能够显著降低开关损耗，提升系统效率至95%以上。在光伏储能系统中，作为DC-DC升压或逆变器侧的主开关器件，它能够在宽输入电压范围内实现高效能量转换。此外，该MOSFET也适用于电动汽车车载充电机（OBC）的次级整流或辅助电源电路，满足车规级可靠性要求。在消费类高端电源如大功率适配器和游戏主机电源中，该器件有助于缩小体积并提升待机效率。由于其出色的热稳定性和抗浪涌能力，还可用于不间断电源（UPS）和工业自动化设备中的直流母线开关。结合合适的驱动电路和散热设计，HH15N6R8C500LT能够在恶劣电磁环境和高温工况下长期稳定运行，是现代绿色能源和智能电力系统中的关键功率元件。
SPW47N60CFD
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