时间：2025/7/18 16:32:17
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HH15N6R0C500LT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关和功率转换场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度的特点，适合于需要高效能和稳定性的电路设计。
这款MOSFET特别适用于直流-直流转换器、电机驱动、电源管理模块等场合，能够显著提升系统效率并降低能耗。
型号：HH15N6R0C500LT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：6mΩ（典型值，条件为Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：325W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
HH15N6R0C500LT的主要特性包括：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达600V，能够适应高压环境下的工作需求。
2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为6mΩ，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关性能：具备较低的输入电容和输出电容，从而实现更快的开关速度，减少开关损耗。
4. 高可靠性：经过严格测试，可在极端温度范围内保持稳定的电气性能。
5. 封装优势：采用TO-247封装，散热性能优良，便于集成到复杂系统中。
HH15N6R0C500LT广泛用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：如适配器、充电器及工业电源等。
2. 直流-直流转换器：例如降压或升压转换器。
3. 电机驱动：可用于无刷直流电机(BLDC)控制器和其他类型的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器：作为关键功率开关元件，提高能源转换效率。
5. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器(PLC)中的功率模块。
IRFP460,
STP15NM60,
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IXYS15N60P
