时间：2025/6/25 23:56:26
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HH15N4R0B500CT 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的领域。该器件采用先进的制造工艺，在提供低导通电阻的同时确保了出色的开关性能。
这款 MOSFET 的额定电压为 500V，具有较高的耐压能力，适用于高压应用场景。其封装形式通常为 TO-220，具备良好的散热性能。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：400mΩ（典型值）
栅极电荷：38nC（最大值）
总耗散功率：140W（在 TA=25°C 条件下）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
HH15N4R0B500CT 具有以下主要特性：
1. 高电压承受能力：额定电压达到 500V，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：典型导通电阻为 400mΩ，可有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能：优化的栅极电荷设计使得开关速度更快，有助于提高系统效率。
4. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保在各种工况下的稳定运行。
5. 良好的热性能：TO-220 封装提供高效的散热通道，能够适应高功率应用场景。
6. 宽温度范围：支持 -55°C 至 +150°C 的结温范围，满足极端条件下的使用需求。
HH15N4R0B500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于 DC-DC 和 AC-DC 转换电路中，作为主开关元件。
2. 电机驱动：在电动工具、家用电器等电机控制系统中用作功率开关。
3. 逆变器：适用于太阳能逆变器和其他电力电子变换设备。
4. PFC 电路：用作功率因数校正电路中的开关元件。
5. 保护电路：用于过流保护和短路保护等功能模块。
IRF540N, STP16NF50, FQP17N50
