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HH15N3R9C500CT 发布时间 时间:2025/7/10 1:10:04 查看 阅读:3

HH15N3R9C500CT是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的制造工艺,专为高效率、高频开关应用设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
  HH15N3R9C500CT属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-247,适合大电流和高电压场景下的应用。该芯片能够承受高达500V的漏源电压,并且具有较低的导通电阻以减少功率损耗。

参数

漏源电压:500V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:3.9mΩ
  栅极电荷:68nC
  最大功耗:215W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 高击穿电压(500V),适用于高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(3.9mΩ),显著降低传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关能力,支持高频工作环境,满足现代电源转换需求。
  4. 强大的雪崩能量能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
  5. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定性能。
  6. TO-247封装提供良好的散热性能和机械强度,便于安装和使用。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器,用于电动汽车、通信基站等领域的高效电源管理。
  3. 工业电机驱动,如伺服电机和步进电机控制器。
  4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
  5. 各类高压、大电流电路保护和切换功能。

替代型号

IRFP260N, STP15NF50, FQA15N50C

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HH15N3R9C500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.04553卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-