HH15N3R9C500CT是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的制造工艺,专为高效率、高频开关应用设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
HH15N3R9C500CT属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-247,适合大电流和高电压场景下的应用。该芯片能够承受高达500V的漏源电压,并且具有较低的导通电阻以减少功率损耗。
漏源电压:500V
连续漏极电流:15A
导通电阻:3.9mΩ
栅极电荷:68nC
最大功耗:215W
结温范围:-55℃至+175℃
1. 高击穿电压(500V),适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(3.9mΩ),显著降低传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关能力,支持高频工作环境,满足现代电源转换需求。
4. 强大的雪崩能量能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
5. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定性能。
6. TO-247封装提供良好的散热性能和机械强度,便于安装和使用。
7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器,用于电动汽车、通信基站等领域的高效电源管理。
3. 工业电机驱动,如伺服电机和步进电机控制器。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 各类高压、大电流电路保护和切换功能。
IRFP260N, STP15NF50, FQA15N50C