时间：2025/7/10 1:10:04
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HH15N3R9C500CT是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的制造工艺，专为高效率、高频开关应用设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
HH15N3R9C500CT属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为TO-247，适合大电流和高电压场景下的应用。该芯片能够承受高达500V的漏源电压，并且具有较低的导通电阻以减少功率损耗。
漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：3.9mΩ
栅极电荷：68nC
最大功耗：215W
结温范围：-55℃至+175℃
1. 高击穿电压（500V），适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（3.9mΩ），显著降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，支持高频工作环境，满足现代电源转换需求。
4. 强大的雪崩能量能力，确保在异常条件下仍能可靠运行。
5. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定性能。
6. TO-247封装提供良好的散热性能和机械强度，便于安装和使用。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器，用于电动汽车、通信基站等领域的高效电源管理。
3. 工业电机驱动，如伺服电机和步进电机控制器。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 各类高压、大电流电路保护和切换功能。
IRFP260N, STP15NF50, FQA15N50C
